审批,东芝公司非常愿意跟华芯公司展开更深入的合作。”
王岸然站起身来,跟桥本龟太郎热情的握了握手。
这项合作可是花了华芯科技三十四条专利授权,加上1000万美金的技术服务费才达成的。
价值人民币上亿,贵可能贵了点,不过王岸然认为有价值,这就已经足够了。
于此同时,浸入式光刻与双工台的研究也开始进入日程,让王岸然苦恼的是,他找不到合适的技术带头人,所以一直无法推进。
不过另一项与浸入式光刻齐名的FinFET生产工艺,王岸然觉的大有可为。
FinField_EffectTransistor鳍式场效应晶体管,相比与MOS晶体管而言,这是一款新型的晶体管模式。
是有华人科学家胡正明教授提出,并建立了系统的数学模型。
特点是工艺不变的情况下,可以在相同的面积内塞进更多的晶体管,而且漏电量和功耗同步大幅度降低。
FinFET技术在9102年已经相当成熟,他本是Intel于2011年第一次推出,用于22纳米制造工艺上的第三代酷睿处理器上,随后大部分的半导体厂家开始加入到FinFET工艺阵营当中。
技术难度比起普通的MOS有所提高,工艺上也增加了几十道光、蚀刻、清洗、填塞、气相沉积过程。
对华芯科技而言,技术难点就是材料的物理气相沉积PDV技术,以及堆叠薄膜镀层保护和蚀刻技术。
相比沉浸式光刻技术以及双工台技术的难度而言,FinFET技术犹如小学生的作业题,在现有的技术条件下就可以完成。
加上自对准双重成像技术SADP,一旦得到攻克,王岸然有信心在不调整硬件的基础上,实现800纳米制造工艺的突破,并将芯片的集成度达到320纳米制造工艺的程度。
研究课题的确认,需要理论方面的支持,基于FinFET工艺的BSIM数学模型有现实的指导意义。
9102年,如果说一个芯片底层硬件逻辑电路工程师,对BSIM不了解,那他肯定是混日子的。
BSIM逻辑电路设计模型在基于FinFET工艺中的作用不可替代,王岸然自然不陌生,甚至他可以清晰的记得数学模型中每一个参数的设置。
不过就这样堂而皇之的拿出来,多有不方便之处。
为此王岸然专门成立了FinFET专用研究实验室,召集了包括季小青、胡正旻、刘赫在内的一大帮华芯科技的基干力量。
“大家很清楚,我们的制造工艺,比起国际上主流的制造工艺落后了两到三代,比起国外最新的尖端研究,那不知道落后多少代了。
今天我召集大家来到这里,就是要开展一项FinFET工艺的开发,我可以很自豪的告诉大家,在这方面,我们走到了全世界的前列。”
王岸然的话成功了煽动了大家的热情,对于大多人人来说,对Fin并不陌生,关于场鳍效应的论文在国际上并不新鲜。
可以在这项新的理论模型下,进行实际应用的研究,也是一件令人振奋的事。
就在王岸然正在埋头进行FinFET工艺模型架构的创建之时,一则消息打破了他的平静。
“王总,德州仪器CEO安德森已经抵达了燕京,他希望就合作事宜,尽快与你进行会面。”
合作!拿技术来合作啊,华芯科技肯定比你想象中的更有诚意。
王岸然点点头,对张磊说道:“联系技术部,雷总,明天上午九点开会,这次我们要好好讨论一下,该要点什么?”
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